标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 9.3nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 225pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 | TO-92L |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
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